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FQB7P20TM_F085 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQB7P20TM_F085 数据手册 (7 页)

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FQB7P20TM_F085 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.54 Ω

极性

P-Channel

功耗

90 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

7.3A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

770pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.13 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.13W (Ta), 90W (Tc)

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FQB7P20TM_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQB7P20TM_F085 符合标准

FQB7P20TM_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.9 MByte

FQB7P20TM_F085 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQB7P20TM_F085 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

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200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET

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ON Semiconductor（安森美）

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQB7P20TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM"F085 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3

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场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 0.54Ω, -7.3A, TO-263-3

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