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FQB9P25TM
2.334
FQB9P25TM 数据手册 (2 页)
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FQB9P25TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-9.40 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
620 mΩ
极性
P-Channel
功耗
3.13 W
漏源极电压(Vds)
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.40 A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
1180pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.13 W
下降时间
65 ns
耗散功率(Max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)

FQB9P25TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQB9P25TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
55 页 / 0.78 MByte

FQB9P25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -250 V, 0.48 ohm, -10 V, -5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
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