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FQD10N20
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FQD10N20 数据手册 (9 页)
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FQD10N20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
7.6A

FQD10N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQD10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.72 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.63 MByte

FQD10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD10N20CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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