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FQD10N20CTF
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FQD10N20CTF 数据手册 (2 页)
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FQD10N20CTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
7.80 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
290 mΩ
极性
N-Channel
功耗
50W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.80 A
输入电容值(Ciss)
510pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
50W (Tc)

FQD10N20CTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD10N20CTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.62 MByte

FQD10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD10N20CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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