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FQD10N20LTM
0.193
FQD10N20LTM 数据手册 (8 页)
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FQD10N20LTM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
95 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQD10N20LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQD10N20LTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.74 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte

FQD10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD10N20CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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