输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
●表面贴装型 N 通道 600 V 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道 600V 1A
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道 600V 1A
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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