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FQD20N06LETF
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FQD20N06LETF 数据手册
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FQD20N06LETF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
17.2A

FQD20N06LETF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

FQD20N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MOS(场效应管)/FQD20N06
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD20N06TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 16.8A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 17.2A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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