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FQD2N60CTM
0.308
FQD2N60CTM 数据手册 (9 页)
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FQD2N60CTM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.6 Ω
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
输入电容
180 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
180pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQD2N60CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm

FQD2N60CTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.54 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.52 MByte

FQD2N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQD2N60CTM 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 2A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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