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FQD30N06LTF
0.131
FQD30N06LTF 数据手册 (2 页)
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FQD30N06LTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
24.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
31.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5W (Ta), 44W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
24.0 A
输入电容值(Ciss)
1040pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)

FQD30N06LTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD30N06LTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.21 MByte

FQD30N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQD30N06: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET, 60 V,22.7 A,45 m?,DPAK
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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