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FQD30N06LTM
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FQD30N06LTM 数据手册 (9 页)
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FQD30N06LTM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
2.5W (Ta), 44W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
210 ns
输入电容值(Ciss)
1040pF @25V(Vds)
下降时间
110 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)

FQD30N06LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD30N06LTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.71 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.24 MByte

FQD30N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQD30N06: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET, 60 V,22.7 A,45 m?,DPAK
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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