￥ 0.503

FQD30N06TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD30N06TM 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQD30N06TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

22.7A

输入电容值(Ciss)

945pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

查看数据手册 >

FQD30N06TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQD30N06TM 符合标准

FQD30N06TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.72 MByte

FQD30N06TM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD30N06 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

FQD30N06 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD30N06TF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

FQD30N06LTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD30N06LTF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD30N06L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET

FQD30N06TM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD30N06: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET， 60 V，22.7 A，45 m?，DPAK

FQD30N06TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD30N06TF_F080 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD30N06LTM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号