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FQD5N20LTM
0.338
FQD5N20LTM 数据手册 (10 页)
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FQD5N20LTM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.94 Ω
功耗
2.5 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQD5N20LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQD5N20LTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.83 MByte

FQD5N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 200 V, 0.94 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 3.8A
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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