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FQD6N50CTM
0.71
FQD6N50CTM 数据手册 (8 页)
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FQD6N50CTM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
540pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQD6N50CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FQD6N50CTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.52 MByte
ON Semiconductor(安森美)
0 页 / 0.63 MByte

FQD6N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 4.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形制作, DMOS技术 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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