￥ 0.3

FQD7N20LTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD7N20LTM 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQD7N20LTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

5.50 A

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

125 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

查看数据手册 >

FQD7N20LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQD7N20LTM 符合标准

FQD7N20LTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.86 MByte

FQD7N20LTM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD7N20 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

FQD7N20 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

Fairchild（飞兆/仙童）

Fairchild（飞兆/仙童）

Fairchild（飞兆/仙童）

ON Semiconductor（安森美）

FQD7N20L: 功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET，200 V，5.5 A，750 mΩ，DPAK

FQD7N20LTF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD7N20L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET

FQD7N20TM_F080 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD7N20TM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号