FQI11P06TU

￥ 0.127

FQI11P06TU 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

P沟道 60V 11.4A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQI11P06TU 数据手册 (16 页)

FQI11P06TU 数据手册 (16 页)

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FQI11P06TU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-11.4 A

封装

TO-262-3

漏源极电阻

175 mΩ

极性

P-Channel

功耗

3.13 W

漏源极电压(Vds)

60 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.4 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

550pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.13 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.13W (Ta), 53W (Tc)

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FQI11P06TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.29 mm

宽度

4.83 mm

高度

7.88 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FQI11P06TU 符合标准

FQI11P06TU 海关信息

FQI11P06TU 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

16 页 / 0.09 MByte

FQI11P06TU 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.63 MByte

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