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FQN1N50CBU
0.22
FQN1N50CBU 数据手册 (8 页)
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FQN1N50CBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
380 mA
封装
TO-226-3
极性
N-CH
功耗
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
输入电容
195 pF
栅电荷
6.40 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
380 mA
输入电容值(Ciss)
195pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
890 mW
耗散功率(Max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)

FQN1N50CBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQN1N50CBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.01 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.24 MByte

FQN1N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQN1N50CTA  晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 380mA
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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