￥ 0

FQN1N50CBU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQN1N50CBU 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQN1N50CBU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-226-3

功耗

890mW (Ta), 2.08W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

输入电容值(Ciss)

195pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

890mW (Ta), 2.08W (Tc)

FQN1N50CBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQN1N50CBU 符合标准

FQN1N50CBU 数据手册

FQN1N50CBU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.37 MByte

FQN1N50 数据手册

FQN1N50CTA 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N50CTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V

FQN1N50CTA 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装

FQN1N50CBU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道 500V 380mA

FQN1N50C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

FQN1N50CBU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号