￥ 1.981

FQP12N60C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

描述:

FQP12N60C 系列 600 V 0.65 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQP12N60C 数据手册 (10 页)

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FQP12N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.53 Ω

功耗

225 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

85 ns

输入电容值(Ciss)

1760pF @25V(Vds)

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225 W

FQP12N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Rail, Tube

FQP12N60C 符合标准

FQP12N60C 数据手册

FQP12N60C 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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