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FQP13N50
1.677
FQP13N50 数据手册 (8 页)
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FQP13N50 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.33 Ω
功耗
170 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
2300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170000 mW

FQP13N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQP13N50 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.97 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
29 页 / 1.96 MByte

FQP13 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
FQP13N50 系列 500 V 0.43 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N06L, 13.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor(安森美)
FQP13N10 系列 100 V 0.18 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N10L, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
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