￥ 0.838

FQP22N30 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQP22N30 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQP22N30 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQP22N30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.16 Ω

功耗

170 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

上升时间

230 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

170 W

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170 W

查看数据手册 >

FQP22N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FQP22N30 符合标准

FQP22N30 概述

FQP22N30 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.67 MByte

FQP22N30 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.78 MByte

FQP22N30 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

FQP22 数据手册

FQP22N30 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP22N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V

FQP22N30 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装

FQP22P10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET

FQP22P10 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQP22P10 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号