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FQP30N06_Q
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FQP30N06_Q 数据手册 (8 页)
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FQP30N06_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
30A

FQP30N06_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

FQP30N06_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.44 MByte

FQP30N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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