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FQP44N10F
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FQP44N10F 数据手册 (10 页)
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FQP44N10F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
146W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
1800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
146W (Tc)

FQP44N10F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP44N10F 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.73 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

FQP44N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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