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FQPF10N50CF
0.558
FQPF10N50CF 数据手册 (8 页)
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FQPF10N50CF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
输入电容
2096 pF
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
2096pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
48 W
下降时间
165 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48000 mW

FQPF10N50CF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm

FQPF10N50CF 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.22 MByte

FQPF10N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability
ON Semiconductor(安森美)
FQPF10N50CF 系列 500 V 0.61 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-220F
Freescale(飞思卡尔)
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