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FQPF4N20
0.27
FQPF4N20 数据手册 (8 页)
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FQPF4N20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
2.80 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
1.40 Ω
极性
N-Channel
功耗
27W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.80 A
输入电容值(Ciss)
220pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
27 W
耗散功率(Max)
27W (Tc)

FQPF4N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF4N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.68 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.7 MByte

FQPF4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF4N90C, 4 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F
ON Semiconductor(安森美)
FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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