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FQPF4N25
0.343
FQPF4N25 数据手册 (8 页)
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FQPF4N25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
32W (Tc)
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
2.8A
输入电容值(Ciss)
200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
32W (Tc)

FQPF4N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF4N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.72 MByte

FQPF4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF4N90C, 4 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F
ON Semiconductor(安森美)
FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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