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FQPF4N90CT
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FQPF4N90CT 数据手册 (13 页)
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FQPF4N90CT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
47 W
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
4A
输入电容值(Ciss)
960pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
47W (Tc)

FQPF4N90CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF4N90CT 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 1.3 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
29 页 / 1.27 MByte

FQPF4N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF4N90C, 4 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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