￥ 0.946

FQPF7N65CYDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQPF7N65CYDTU 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

FQPF7N65CYDTU 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQPF7N65CYDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

52 W

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1245pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

52 W

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

52000 mW

查看数据手册 >

FQPF7N65CYDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FQPF7N65CYDTU 符合标准

FQPF7N65CYDTU 概述

FQPF7N65CYDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 3.32 MByte

FQPF7N65CYDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 2.22 MByte

FQPF7N65 数据手册

FQPF7N65C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N65C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

FQPF7N65C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装

FQPF7N65CYDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQPF7N65CYDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF7N65C_F105 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQPF7N65C_F105 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号