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FQPF85N06 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF85N06, 53 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQPF85N06 数据手册 (10 页)

FQPF85N06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.01 Ω

功耗

62 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

230 ns

输入电容值(Ciss)

3170pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

62 W

下降时间

170 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

62000 mW

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FQPF85N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.16 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.19 mm

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FQPF85N06 符合标准

FQPF85N06 概述

FQPF85N06 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.56 MByte

FQPF85N06 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.49 MByte

FQPF85N06 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.27 MByte

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