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FQPF9N90C
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FQPF9N90C 数据手册 (12 页)
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FQPF9N90C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
68W (Tc)
漏源极电压(Vds)
900 V
输入电容值(Ciss)
2730pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
68W (Tc)

FQPF9N90C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF9N90C 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 1.16 MByte

FQPF9N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF9N90CT  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 900 V, 1.12 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N90CT, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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