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FQT3P20TF_SB82100
0.116
FQT3P20TF_SB82100 数据手册 (8 页)
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FQT3P20TF_SB82100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
极性
P-CH
功耗
2.5W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
0.67A
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Tc)

FQT3P20TF_SB82100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT3P20TF_SB82100 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.92 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte

FQT3P20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQT3P20TF, 670 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道 200V 670mA
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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