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FQU10N20TU_AM002
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FQU10N20TU_AM002 数据手册 (214 页)
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FQU10N20TU_AM002 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-251-3
功耗
2.5W (Ta), 51W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
670pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 51W (Tc)

FQU10N20TU_AM002 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
6.8 mm
宽度
2.5 mm
高度
6.3 mm

FQU10N20TU_AM002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
214 页 / 4.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
214 页 / 3.88 MByte

FQU10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 7.6A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 7.6A
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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