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FQU11P06TU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQU11P06TU 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

FQU11P06TU 数据手册 (9 页)

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FQU11P06TU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.185 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

420pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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FQU11P06TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.3 mm

高度

6.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FQU11P06TU 符合标准

FQU11P06TU 概述

FQU11P06TU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 1.15 MByte

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