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FQU13N06L
0.173

FQU13N06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
IPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
11A

FQU13N06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQU13N06L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 1.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.98 MByte

FQU13N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU13N06LTU  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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