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FQU13N06LTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQU13N06LTU 数据手册 (10 页)

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FQU13N06LTU 数据手册 (10 页)

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FQU13N06LTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.092 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

270pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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FQU13N06LTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.3 mm

高度

6.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FQU13N06LTU 符合标准

FQU13N06LTU 概述

FQU13N06LTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.88 MByte

FQU13N06LTU 其他数据使用手册

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