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FQU13N06LTU_WS
0.301
FQU13N06LTU_WS 数据手册 (10 页)
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FQU13N06LTU_WS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
11A
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)

FQU13N06LTU_WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQU13N06LTU_WS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.88 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.71 MByte

FQU13N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU13N06LTU  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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