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FQU1N60
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FQU1N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
IPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
1A

FQU1N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQU1N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.54 MByte

FQU1 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N10LTU, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU13N06LTU  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU13N10LTU  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU1N60CTU, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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