Web Analytics
Datasheet 搜索 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQU1N60C Datasheet 文档
FQU1N60C
0.131

FQU1N60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
IPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
1A

FQU1N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQU1N60C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.75 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.53 MByte

FQU1N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU1N60CTU, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU1N60CTU  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 1A
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z