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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > FS100R12KE3_B3 Datasheet 文档
FS100R12KE3_B3
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FS100R12KE3_B3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
封装
MODULE
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
7.1nF @25V
额定功率(Max)
480 W

FS100R12KE3_B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
150℃ (TJ)

FS100R12KE3_B3 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.33 MByte

FS100R12KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
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