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FS150R12KT4B11BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

AG-ECONO3-4

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FS150R12KT4B11BOSA1 数据手册 (8 页)

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FS150R12KT4B11BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

35 Pin

封装

AG-ECONO3-4

功耗

750 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

9.35nF @25V

额定功率(Max)

750 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

750000 mW

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FS150R12KT4B11BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FS150R12KT4B11BOSA1 符合标准

FS150R12KT4B11BOSA1 海关信息

FS150R12KT4B11BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.71 MByte

FS150R12KT4B11BOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FS150R12KT4B11BOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FS150R12KT4B11BOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FS150R12KT4B11BOSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

FS150R12KT4B11 数据手册

FS150R12KT4_B11 数据手册

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EconoPACK3压接模块与沟槽/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

FS150R12KT4-B11 数据手册

Infineon（英飞凌）

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