FS25R12W1T4BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  FS25R12W1T4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。