￥ 162.172

FTCO3V455A1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DIP-19

描述:

ON Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FTCO3V455A1 数据手册 (12 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在10 页 11 页

FTCO3V455A1 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FTCO3V455A1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

19 Pin

封装

DIP-19

漏源极电压(Vds)

40 V

额定功率(Max)

115 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

115 W

查看数据手册 >

FTCO3V455A1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

43.8 mm

宽度

29.2 mm

高度

5.2 mm

工作温度

175℃ (TJ)

查看数据手册 >

FTCO3V455A1 符合标准

FTCO3V455A1 海关信息

FTCO3V455A1 概述

FTCO3V455A1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.65 MByte

FTCO3V455A1 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 2.47 MByte

FTCO3V455A1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.97 MByte

FTCO3V455A1 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.1 MByte

FTCO3V455 数据手册

FTCO3V455A1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装

FTCO3V455A1 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

3 相 MOSFET 反相器汽车电源模块40V 150A 3 相 trench MOSFET 反相器桥接经优化用于 12V 电池系统包括 1% 精密分流电阻器，用于电流感应包括 NTC 温度传感器包括电阻器电容器减震器电路符合汽车规格 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号