￥ 0

FZ1000R33HE3BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FZ1000R33HE3BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

击穿电压(集电极-发射极)

3300 V

输入电容值(Cies)

190nF @25V

额定功率(Max)

1600 W

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.49 MByte

Infineon（英飞凌）

IHM -B模块，具有快速海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1 kA, 2.55 V, 3.3 kV, Module

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

热门型号