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GL12T-E3-18
0.068
GL12T-E3-18 数据手册 (6 页)
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GL12T-E3-18 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
击穿电压
14.3 V
功耗
300 W
钳位电压
24 V
脉冲峰值功率
300 W
最小反向击穿电压
13.3 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

GL12T-E3-18 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

GL12T-E3-18 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte

GL12 数据手册

VISHAY(威世)
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
晶体 HC-49U/S-SM GND Lead Crystal 12.000000 MHz Tol 30ppm, Stab 50ppm, -40 C/85 C, 18pF
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
晶体 HC-49U/S-SM GND Lead Crystal 12.000000 MHz Tol 30ppm, Stab 50ppm, -20 C/70 C, 18pF
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
CTS(西迪斯)
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