￥ 3.384

GT25Q102 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3

描述:

TOSHIBA GT25Q102 单晶体管, IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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GT25Q102 数据手册 (6 页)

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GT25Q102 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

200 W

上升时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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GT25Q102 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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GT25Q102 符合标准

GT25Q102 数据手册

Toshiba（东芝）

6 页 / 0.33 MByte

GT25Q102 产品手册

Toshiba（东芝）

1 页 / 0.1 MByte

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