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HCPL-061N-000E
1.711
HCPL-061N-000E 数据手册 (17 页)
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HCPL-061N-000E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
1.50 V
输出电压
7 V
输出电流
50 mA
通道数
1 Channel
正向电压
1.6 V
输入电流
10 mA
功耗
0.06 W
数据速率
10.0 Mbps
上升时间
42 ns
隔离电压
3.75 kV
正向电流
10 mA
输出电压(Max)
5.5 V
击穿电压
3 V
正向电流(Max)
10 mA
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
5.5 V

HCPL-061N-000E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
5.08 mm
宽度
3.94 mm
高度
3.17 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HCPL-061N-000E 数据手册

AVAGO Technologies(安华高科)
17 页 / 0.38 MByte

HCPL061N000 数据手册

AVAGO Technologies(安华高科)
高速光耦合器 10MBd 1Ch 3mA
Broadcom(博通)
BROADCOM LIMITED  HCPL-061N-000E  光耦合器,SMD 10MBD
Agilent(安捷伦)
AVAGO Technologies(安华高科)
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