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HGT1S10N120BNS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGT1S10N120BNS 数据手册 (8 页)

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HGT1S10N120BNS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

35.0 A

封装

TO-263-3

功耗

298 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

298 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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HGT1S10N120BNS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGT1S10N120BNS 符合标准

HGT1S10N120BNS 海关信息

HGT1S10N120BNS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.19 MByte

HGT1S10N120BNS 其他数据使用手册

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35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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