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HGT1S14N36G3VLS
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HGT1S14N36G3VLS 数据手册 (16 页)
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HGT1S14N36G3VLS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
100000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
390 V
额定功率(Max)
100 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

HGT1S14N36G3VLS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
高度
4.83 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

HGT1S14N36G3VLS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.06 MByte

HGT1S14N36G3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
14A , 360V N沟道逻辑电平,电压钳位的IGBT 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
Fairchild(飞兆/仙童)
Intersil(英特矽尔)
14A , 360V N沟道逻辑电平,电压钳位的IGBT 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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