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HGT1S20N60C3S9A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

IGBT UFS 45 A 600 V N沟道 TO-263AB 卷盘包装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGT1S20N60C3S9A 数据手册 (8 页)

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HGT1S20N60C3S9A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

45.0 A

封装

TO-263-3

功耗

164000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

164 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

164000 mW

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HGT1S20N60C3S9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGT1S20N60C3S9A 符合标准

HGT1S20N60C3S9A 海关信息

HGT1S20N60C3S9A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.13 MByte

HGT1S20N60C3S9A 其他数据使用手册

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18 页 / 0.94 MByte

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