Web Analytics
Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > HGTG12N60A4D Datasheet 文档
HGTG12N60A4D
1.758
HGTG12N60A4D 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

HGTG12N60A4D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
167 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
30 ns
额定功率(Max)
167 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
167000 mW

HGTG12N60A4D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG12N60A4D 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.61 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 1.51 MByte

HGTG12N60A4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG12N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z