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HGTG20N60B3D
2.842
HGTG20N60B3D 数据手册 (7 页)
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HGTG20N60B3D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
165 W
上升时间
20.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
55 ns
额定功率(Max)
165 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
165000 mW

HGTG20N60B3D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG20N60B3D 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.51 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

HGTG20N60B3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
HGTG20N60B3系列 600 V 40 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60B3..  单晶体管, IGBT, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60B3D  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
40A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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